2SK0615技术资料:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP
标准包装:1,000系列:-包装:散装FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):80V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):500mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:通孔封装:3-SIP供应商器件封装:M-A1